（圖片來源：攝圖網）

據路透社報道，廣穎電通(Silicon Power)將在印度奧里薩邦投資1.217億美元，建設一家碳化硅工廠。并計劃生產150mm(6英寸)碳化硅晶圓。這項投資將由廣穎電通的印度子公司RiR Power Electronics負責，他們承諾新工廠將在未來18-24個月內開始運營，最晚不會超過2025年。

(資料圖)

外媒指出，廣穎電通此次對印度的投資是該國政府吸引外資的努力的一部分。目前，富士康、美光和AMD等公司的高管也正在印度參加會議。

碳化硅，又稱碳硅石或金剛砂，是第三代半導體材料的代表之一，主要用于電力電子器件的制造。隨著新能源汽車和工業電源等應用的推動，全球電力電子碳化硅市場規模不斷增長。

——碳化硅行業全球發展現狀

目前，碳化硅已成為半導體技術研究和產業競爭的焦點。美國、日本、歐洲等國家都在積極制定戰略布局。目前，第三代半導體材料和器件已成功實現從研發到規?；a的跨越，并進入了產業化快速發展階段。在新能源汽車、高速軌道交通、5G通信、光伏并網、消費類電子等多個重點領域取得了應用突破。自2020年以來，發達國家已將半導體技術和產業提升到國家安全戰略層面，考慮通過國家級力量在技術研發、產業鏈發展、原材料和生產制造等多個方面進行全方位的部署。

近年來，全球各企業加速布局碳化硅行業，推出了多款產品，隨著技術的成熟和下游需求的增長。以碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管（SiC MOSFET）為例，據統計，2021年國際上有10余家公司推出了超過200款SiC MOSFET系列產品，其中擊穿電壓主要集中在650V和1200V。

在射頻器件領域，根據CASA的數據，目前市場上有超過500款可購買的氮化鎵（GaN）射頻器件和功率放大器。GaN射頻器件的最高工作頻率為18GHz（Wolfspeed），輸出功率最高可達1862W（Qorvo，1.0-1.1GHz）。其中，碳化硅基氮化鎵器件是射頻市場的主流產品和技術解決方案。

根據第三代半導體產業技術創新戰略聯盟的數據，截至2020年底，全球碳化硅功率器件市場規模為7.03億美元，而GaN射頻器件市場規模為8.3億美元。根據Yole的報告，目前約有90%的GaN射頻器件采用碳化硅襯底制備。而在2021年，全球碳化硅器件市場規模已經超過了20億美元。

華金證券認為，第三代半導體功率器件憑借其高頻高效、耐高壓、耐高溫等優異特性，有望提升整車能源利用率并推動車企的新能源汽車產品升級。隨著碳化硅器件工藝的不斷升級，成本進一步降低，預計其市場滲透率將提高，從而進一步拓寬第三代半導體功率器件的市場空間。

隨著全球經濟的發展和技術的進步，碳化硅行業有望繼續保持穩定增長。同時，碳化硅材料的研發和應用也在不斷創新，涌現出更多的新產品和新應用領域。全球碳化硅行業的競爭也日益激烈，各國企業在技術、質量和服務等方面進行不斷改進，以滿足市場需求。

前瞻經濟學人APP資訊組

更多本行業研究分析詳見前瞻產業研究院《全球及中國碳化硅（SIC）行業市場調研及投資前景分析報告》

同時前瞻產業研究院還提供產業大數據、產業研究報告、產業規劃、園區規劃、產業招商、產業圖譜、智慧招商系統、行業地位證明、IPO咨詢/募投可研、IPO工作底稿咨詢等解決方案。在招股說明書、公司年度報告等任何公開信息披露中引用本篇文章內容，需要獲取前瞻產業研究院的正規授權。

更多深度行業分析盡在【前瞻經濟學人APP】，還可以與500+經濟學家/資深行業研究員交流互動。

標簽：